Страница - 472, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Диоды кремниевые диффузионные с р-і-п структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах и других устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А-4 маркируется одной красной точкой у положительного электрода, 2А524Б-4 — двумя красными точками.

Зависимость обратного сопротивления потерь в параллельной схеме от постоянного обратного напряжения.

Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.


213 253 Щ 333 373 Щ3 К Зависимость рассеиваемой мощности от температуры.


Масса диода не более 0,15 г.