Страница - 471, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Критическая частота при Рва < 30 мВт, X = 10 см,

Аір = 50 мА, С/0бр =10 В, не менее: при 298 К    . Б Щ . ■ ШШ . 200 ГГц

при 213 и 398 к|||ш| I I . . I . . . I I 170 ГГц Прямое сопротивление потерь при Р„д < 30 мВт, І =

= 10 см, /пр = 50 мА, не более    . .... 0,5 Ом

Общая емкость диода при U0Ц = 100 В, /= 10 -г 30 МГц:

2А523А-4 щ . ... . . . . . . > .    . От 0,9 до

1,5 пФ

2А523Б-4    . . . . . . . . . |Й . ... От 1,0 до

2,0 пФ

Накопленный заряд при /пр = 50 мА, U0gp = 100 В, не более "... -У:if| •    • • • • ЁВШ • •'Ш *    220 нКл

Пробивное напряжение при /0Ц < 30 мкА, не менее:

2А523А-4 '■.Щ .    . Ж® . -г . .. . >' . М 500 В

2А523Б-4 . ^ . . ............600 В

Тепловое сопротивление . . Щ . . >. . 4,5 К/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К І    . ... 200 В

Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К[ . ч. ....... .    300 мА

Рассеиваемая мощность при температуре на держателе диода:

от 213 до 298 К . . И . ШЖ . .    20 Вт

при 398 К Ц' ; Ч ^    . jsplty.    . 7 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность при ти = 300 мкс,

скважности 5 и температуре на держателе диода 298 К 100 Вт Температура окружающей среды . . .: . . . . . . От 213 до

398 К

Примечания: П Допускается применять диоды при постоянных обратных напряжениях меньше 40 В и амплитуде напряжения СВЧ

не более 20 В.

2. Допустимая амплитуда СВЧ напряжения на диоде UCB4 определяется по формуле


. усѣч ^проб ^обр •



All

Зависимость прямого сопротивле

ния потерь от постоянного пря

мого тока.