Страница - 469, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Дифференциальное сопротивление при /пр = 100 мА, не более . ||| I I    • 1р.     • • шШ' 1.8 Ом

Общая емкость диода при (/обр = 0.......От 0,35 до

0,75 пФ

Прямое сопротивление потерь диода при низком значении СВЧ мощности, /=4,28 ГГц, не более:

при 213 и 298 К • ... j j . •. ѵ|Я . . . . 12 Ом при 398Л К . I ... Ц .. I .    17 Ом

Постоянное обратное напряжение при /0бр В 100 мкА,

не более    • . . . 70 В

Накопленный заряд при Іар = 50 мА, не более . . . 10 нКл

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре основания диода:

от 213 до 358 кЩі .. . . . . . .£'/    5 В

при 398 К . . . . ., . юЩ! • • ЦЦ9 . . . 3 В Постоянный прямой ток при температуре основания диода:

от 213 до 358 К .... . ’. • • • • ' Ш 100 мА при 398 К . Вк . ъШШЖ;    ... 50 мА

Рассеиваемая мощность при температуре основания диода:

от 213 до 308 К . . ... . . . . . -Л . . 0,3 Вт

при. 398 К........ ... . . . . ||І; 0,08 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность при ти < 1 мкс,

/< 1 кГц и температуре основания диода:

от 213 до 308 ШИН . . . ", . . . . |||| 40 Вт при 398 К * S., • H§t?’V . ИНННЯ . .щ.    8 Вт

Температура окружающей среды.........От 213 до

398 К



470

Зависимость постоянного обратно

го напряжения от температуры

основания диода.