Страница - 466, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Критическая частота при = 30 мВт, X = 15 см,

/„р = 100 мА, t/o6p = 100 В, не менее:

при 213 и 298 К.................90 ГГц

при 358 К ^ У Щ . . I . I I . ... 1 І I 55 ГГц Прямое сопротивление потерь при Рпд = 30 мВт,

X = 15 см, /„р = 100 мА, не более:

при 213 и 298 К .... .........1,5 Ом

при 358 К . ...............2,0 Ом

Критическая частота при Рцц в=16 кВт, 7™= 100 мА,

Рпд, и =* 2,5 кВт, С/0бр = 100 В, не менее......80 ГГц

‘Прямое сопротивление потерь при Рад „ = 16 кВт,

/пр = ЮО мА, не более . ..............1,5 Ом

Накопленный заряд при /пр = 100 мА,    = 80 В,

Рад = 30 мВт, не более ............ 900 нКл

Общая емкость диода при Uo6p = 100 В, Р^ = 30 мВт,

Ы 15 см і . . і ,, . ...........От 0,63 до

0,77 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ < 7 мкс,

/ = 100 Гц, W =25 Ом (диод включен параллельно в линию, работающую на согласованную нагрузку)

и температуре от 213 до 298 К........ 10 кВт

Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре

от 213 до 298 К..............20 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность при іи < 7 мкс,

/= 100 Гц, W%15 Ом . . . I 1 I ’....... 6 кВт

Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до

298 К . • . • • • ............ 3 Вт

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К . . . . . ... ....... От 50 до

200 В

Постоянный прямой ток при температуре от 213 до

358 К . і ■ . ....... . . . . . . . . . От 0.1 до

1,5 А

Постоянный обратный ток при f/^p = 200 В.....150 мкА

Температура окружающей среды....... . . . От 213 до

358 К

Температура перехода ............. 398 К

Примечания: 1. При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 25 Ом, допустимая импульсная падающая СВЧ мощность определяется по формуле

_ 25

•Рвд, и, махе ( И0 уу ал, и, масс •

2. Крепление диодов производится за металлический цилиндрический держатель.

467