Страница - 464, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Пробивное напряжение, не менее:

2А520А, КА520А............ 800 В

КА520Б . . . ................600 В

Общая емкость диода при Щ|| = 0 . ......От 0,4 до

1,0 пФ

Критическая частота при /пр = 100 мА, Ѵ^ѵ =100 В,

Рпа % 1 мВт, re = 7 g 4,5 см, не менее: при 298 К

2А520А, КА520А............. 200 ГГц

КА520Б .. . . . . . . . . .......150 ГГц

при 213 и 398 К

2А520А, КА520А...............170 ГГц

. Накопленный заряд при /пр = 100 мА, не более . . . 300 нКл Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА, Рт^

> 1 мВт, X = 7 -j- 4,5 см, не более: при 298 К

2А520А, КА520А .............. 2 Ом

КА520Б У| . .............. 3 Ом

при 213 и 398 К 2А520А, КА520А . . * . . . . . . .... 2,3 Ом Индуктивность выводов .............0,45 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от

213 до 398 К........I jj...... 300 В

Мгновенное обратное напряжение при температуре от

213 до 398 К ... ... . V . . . ...... 750 В

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:

от 213 до 308 К . . ........... 4 Вт

при 398 К . . . . . . ....... . . . 1,3 Вт

Температура окружающей среды.........От 213 до

398 К

Пр имечание. Допускается кратковременный (в течение 0,5 мин) нагрев диода до 473 К.

Зависимость накопленного заряда

от постоянного прямого тока*

465