Страница - 463, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от температуры корпуса.

Зависимость прямого сопротивления потерь при высоком значении СВЧ мощности от постоянного прямого тока.


Зависимость общей емкости диода от температуры корпуса.

Зависимости постоянного прямого и обратного токов от температуры корпуса.


2А520А, КА520А, КА520Б

Диоды кремниевые эпитаксиальные с р-і-п структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке.

Масса диода не более 1,3 г.

464