Страница - 462, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




СВЧ мощности и /пр = 100 мА, не более ..... 2,2 Ом Прямое сопротивление потерь при низком значении СВЧ мощности, /=9,4 ГГц, Рпд =Ч1 мВт, не более:

при 298 и 213 К.....і.......20 Ом

при 398 КйЙ§||..............25 Ом

Общая емкость при нулевом смещении......От 0,5 до

0,9 пФ

Постоянный обратный ток при U^p = 20 В, не более 100 мкА

Граничная мощность* .............От 10 до

1000 мВт

Время восстановления обратного сопротивления *, не более 200 не Накопленный заряд при /пр = 100 мА, не более .... 8 нКл

Емкость корпуса Шв..............От 0,2 до

0,3 пФ

Индуктивность диода*, не более.........0,7 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:

от 213 до 353 К...... . ......0,3 Вт

при 398 К ,. . . . . . ..........0,1 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность при скважности, большей или равной 1000, ти< 1 мке и температуре корпуса:

от 213 до 353 К............. 30 Вт

при 398 КЙЙ-. Щ.....................10 Вт

Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса

от 213 до 353 К......Ц....... 10 В

Постоянный прямой ток при температуре корпуса от

213 до 353 К И . І I . І........ . 100 мА

Температура окружающей среды.........Or 213 до

398 К

Температура перехода    ....... 423 К

Примечание. Диоды не подлежат пайке.


Вт 0,300

0,225

0,150

0,075


Зависимость рассеиваемой мощ-    Q

ности от температуры корпуса.    273 253 293 333 373 413 К

463