Страница - 459, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Критическая частота на низком уровне мощности при Р^ = 30 мВт, / = 2000 МГц, /пр = 100 мА, С/обр =100 В, не менее: при 213 и 298 К

2А518А-4 . . . р . Щ . И . Vg* . ѵ . . 130 ГГц 2А518Б-4 . Ш • '    ..    Щ- 90 ГГц

при 373кЩ . . . .    .■■■■ШшЩші; 70 ГГц -

Критическая частота на высоком уровне мощности при Рт = 15 кВт, /пр = 100 мА, С/обр = 100 В, не менее:

2А518 А-4    V- ,.Ш . . Н .    70 ГГц

2AS18Б-4 ЖШШЯЩ-;    ... . . . 50 ГГц

Прямое сопротивление потерь, на низком уровне мощности при Рцд = 30 мВт, / = 2000 МГц, /пр = 100 мА, не более: при 213 и 298 К 2А518А-4 . . . . ѴІІ . Нѵ    1 Ом

2А518Б-4 Щ . . { . . :-І    . Cr 2 Ом

при 373 К

2А518А-4 . . . V- • • ......... 1,5 Ом

2А518Б-4...... ЩгІ Щ -фї -Wp 2 Ом

Прямое сопротивление потерь на высоком уровне мощности при Рпа= 15 кВт, /пр = 100 мА, не более:

2А518А-4|| . . ............. 1 Ом

2А518Б-4 .    . ІІ'. • -. Щ ѵ ИИ«-> Ч . f 2 Ом

Общая емкость диода при U0qp = 100 В, /=30 МГц От 0,6 до

0,8 пФ

Время восстановления обратного сопротивления при Рпд = 30 мВт, /=1500 МГц, /пр = ЮО мА, Uo6p =

= 100 В, не более:

2А518А-4 .    I- •• • 6 мкс

2А518Б-4 . . ... . . ... .    . . • 2,5 мкс

Время установления прямого напряжения при Рт =

= 30 мВт, /= 1500 МГц, /пр = 100 мА, U0 бр =

= 100 В, не более: *

2А518А-4    ‘V • . «-Ѵ • »? • І 2»5 мкс

2А518Б-4 .    . Н ♦ ."Ш. . • 1.0 мкс

Индуктйвн ость диода. . . ............. . От 0,5 до

0,8 нГн

460