Страница - 456, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2А516А

Диод кремниевый сплавной с р-і-п структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусной с жесткими выводами. Тип диода указывается на упаковке. Полярность диода определяется тестером.


Масса диода не более 1,3 г.

Электрические параметры Прямое сопротивление потерь при /пр = 100 мА, не более:

при 298 К У . |! .................5,5 Ом

при 213 и 398 К . . ...........6,5 Ом

Сопротивление диода в нулевой точке при Р„д < 5 мВт,

не менее. ,. . . I Mr І і .... ...........3000 Ом

Время установления прямого сопротивления при /=

= 3000 МГц, Рпд > 1 мВт, ти = 40 -г- 120 мкс, /и - 100 мА,

не более ] . . -. ..............    6 мкс

Время восстановления обратного сопротивления при

/ = 3000 МГц, Рвд > 1 мВт, т„ = 40 -т- 100 мкс, не более    45 мкс

Общая емкость диода при нулевом смещении, не более    0,18 пФ

Критическая частота* . . № ..........    70 ГГц

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К    1 Вт Импульсная падающая СВЧ мощность при W = 50 Ом, скважности 200 — 1000, Ц = 1 Ш 5 мкс и температуре

от 215 до 398 К ...................1 кВт

Постоянный прямой ток............100 мА

Постоянное обратное напряжение .........    200 В

Температура окружающей среды..........От 213 до

398 К

Температура перехода................398 К



Зависимость прямого сопротивле

ния потерь от постоянного пря

мого напряжения.

457