Страница - 454, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость времени восстановления от импульсного прямого тока.

Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры.


2А515А

Диод кремниевый эпитаксиальный с р-і-п структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах коротковолновой части сантиметрового диапазона.

Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальную тару. Диод маркируется зеленой точкой на корпусе. Положительный выводSi со стороны крышки.

Масса диода не более 1,3 г.

Электрические параметры

Пробивное напряжение при /0бр.в = 10 мА, /= 5 кГц,

їй = 3 мкс, не менее........................100 В

Общая емкость диода при иоЩ = 50 В......От 0,4

до 0,7 пФ

Критическая частота при /пр = 25 мА, U^p Щ 50 В, не менее:

при 298 К . . ...............100 ГГц

при 213 и 398 К.............70 ГГц

Накопленный заряд при /пр = 25 мА, не более ....    15 нКл

455