Страница - 452, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2А513А, 2А513Б, КА513А, КА513Б

Вывод 2


Диоды кремниевые с переходами, изготовленными на основе ионного легирования со структурой п-і-р-і-п. Предназначены для работы в поглощающих переключателях в диапазоне от 0,8 до

2 см в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода указывается на таре.

Масса диодов не более 0,075 г (2А513А, КА513А) и 0,06 г (2А513Б, КА513Б).


Потери запирания при Рщ — 1 Вт, /пр=10 4-100 мА, не менее:

2А513А, КА513А (f= 30 000 37 500 МГц) .... 27 дБ 2А513Б, КА513Б (/*= 15000 20000 МГц) . ... 25 дБ Потери пропускания приРщ, = 1 Вт,/= 30000 § 37 500 МГц (2А513А, КА513А) и/= 15 000 -н 20000 МГц (2А513Б,

КА513Б), не более: при 298 К    0,7 дБ

при 213 и 398 К . . у........Ц. 0,9 дБ

Время установления при /при = 100 мА, /= 1000 Гц,

т„ = 100 мкс, Лн = 100 Ом, не более....... 6 мкс

Время восстановления при /npJl = 100 мА, /= 1000 Гц,

Ц В 100 мкс, Rs= 100 Ом, не более......100 мкс

Постоянное обратное напряжение при температуре от

213 до 358 К М Л............ 150 В

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 358 К:

2А513А, КА513А . . ............ 2 Вт

2А513Б, КА513Б ............. 1,5 Вт

Импульсная падающая СВЧ мощность при ти = 1 мкс,

/= 1000 Гц:

2А513А, КА513А в Н-волноводе с W = 150 Ом ... 75 Вт 2А513Б, КА513Б в Н-волноводе с W = 80 Ом . . . 140 Вт Температура окружающей среды для 2А513А,

2А513Б .................От 213

453