Страница - 451, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость прямого сопротив- Зависимость качества диода (на ления потерь от постоянного низком уровне) от постоянного

213 Z53 293 333 373 413 К Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от


О 200 400 600 800 1000м А Зависимость качества диода (на высоком уровне) от постоянного прямого тока.


273 293 333 333 353 373 К Зависимость постоянного обратного тока от температуры.


452