Страница - 448, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.

Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.

2А511А

Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.

Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.

Масса диода не более 0,25 г.

Электрические параметры

Качество (на низком уровне мощности) на частоте /= 3000 МГц при Єр I 50 В, /пр і 500 мА, W = 50 Ом,

Рпд < 1 Вт, не менее:

при 298 К . I . J К ........... 2500

при 398 К .' . І ѵ ......... • . . 1500

при 213 К 1 . . . І|р ! . . ... • • • • I 1750 Качество (на высоком уровне мощности) при Рпд <

< 10 кВт, /пр І 500 мА, С7см = 50 В, W | 50 Ом. не менее Щ.\ І I %,і ............ ♦ • *

Прямое сопротивление потерь на частоте/= 3000 МГц

при /„р = 500 мА, Рад « 1 Вт, не более...... 2 Ом

Общая емкость диода при шШ = 200 В, Род < 1 Вт,

/= 10 J 30 МГц . ..............От 0,55

до 0,75 пФ

Накопленный заряд при (/см = 100 В, /пр = 100 мА,

/= 1 кГц, ти = 10 мкс, не более ........ 350 нКл

15 под ред. Н. Н. Горюнова    449