Страница - 447, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Накопленный заряд в режиме переключения с /по =

= 100 мА на £/обріИ І 20 В, не более | !    . . 10 нКл

Пробивное напряжение, не менее ........ 30 В

Индуктивность диода | . I...... Ж . ; От 0,6 |

до 0,8 нГн

Емкость корпуса * . ,4, . .    • • «V» • • • От 0,25

до 0,3 пФ

Время установления*, не более ......... 1 не

Время восстановления *, не более ... . Шй .... 230 не

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:

от 213 до 323 К .    ....... 1 Вт

при 398 К . . . . Ж. ЩИ . . . . .    0,25 Вт

Рассеиваемая импульсная СВЧ мощность при ти = 1 мкс,

/= 1 кГц и температуре от 213 до 308 К . . . . 40 Вт Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К . .............. 25 В

Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К Я ......... . Н ГЩ*. . Щ 200 мА

Температура окружающей среды . .    . . От 213

до 398 К

Температура перехода щ <    « . . . . . "і . 423 К

Зависимость импульсной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса в двухрезонаторной камере на /= 1 ГГц (/і = 100 Гц, /2 = 1000 Гц, /з = 10000 Гц, W =15 Ом).


ИЗ 253 2 93 333 373 К

213 253 293 333 373 413 453 493 К


Зависимость непрерывной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса.


448