Страница - 444, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры Прямое сопротивление потерь при /пр = 25 мА, Рпч = = 1 мВт, Ц = 7 см, не более:

2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б.......

КА509В М.- . . . .........

Критическая частота при Іп| = 25 мА, С/0бр =100 В, Ревя В ! мВт, | = 7 см, не менее: при 298 К

2А509А,. 2А509Б, КА509А, КА509Б......

КА509В Ш . . . ............

при 373 К

2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б......

Накопленный заряд при /пр = 25 мА, не более . . . . Пробивное напряжение при импульсном обратном токе

10 мА, /= 5 кГц, ти = 3 мкс, не менее......

Общая емкость диода при и^р = 100 В:

2А509А, КА509А.............

2А509Б, КА509Б . . . . . ........

КА509В . . . . ............

Емкость корпуса . . і............

Предельные эксплуатационные данные