Страница - 443, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость качества диода от постоянного прямого тока, й

Зависимость времени восстанов-    Зависимость рассеиваемой СВЧ


ления от постоянного обрат-    мощности от температуры,

ного напряжения.

Зависимость потерь пропуска- Зависимость качества диода от ния от температуры.    температуры.

2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б, КА509В

Диоды кремниевые эпитаксиальные с р-і-п структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиме+ро= вого и дециметрового диапазонов.

444