Страница - 442, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2А508А, КА508А

Диоды кремниевые, изготовленные на основе ионного легирования со структурой п-і-р-і-п. Предназначены для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с гибким выводом. Тип диода указывается на таре.

Масса диода не более 0,05 г.

Электрические параметры

Потери пропускания при Іщ, и =100 мА, |||| = 1 Вт,

/ = 9370 МГц, не более:

при 298 К я ...... щ........0,4 дБ

при 213 и 398 К (2А508А).........0,6 дБ

Качество при Рцд — 1 Вт, /= 9370 МГц, не менее » . • . 600 Время установления при /при = 100 мА, /= 1000 Гц,

ти=100 мкс, гпос = 1 кОм, не более...... 6 мкс

Время восстановления при /прв = 100 мА, /= 1000 Гц, т„ = 100 мкс, гпос = 100 Ом, не более......40 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 333 К для 2А508А и от 213 до 308 К для

КА508А . ....... . . ........1,5 Вт

Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при т„ =

= 1 мкс, скважности 1000 в резонансной щели ... 0.8 кВт Постоянное обратное напряжение при температуре от

213 до 358 К 1 . • Г , . ......... 100 В

Постоянный прямой ток при температуре от 213 до

358 К . . . . . . . . . . . ........ 500 мА

Температура окружающей среды:

2А508А if I I I' I .............От 213

до 398 К

КА508А . . . . . . . . . ........От 213

до 358 К

Примечания: 1. При постоянном прямом токе допускается импульсная мощность 50 кВт при ти = 1 мкс, скважности 1000 при условии, что мощность, рассеиваемая в диоде, не превышает допустимого значения.

2. При впайке диодов в модули должен использоваться припой ПОИн-50.

443