Страница - 440, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б, КА507В

Диоды кремниевые эпитаксиальные с р-і-п структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 2А507А, КА507А — черной точкой, 2А507Б, КА507Б — желтой точкой, КА507В — двумя красными точками. Положительный вывод — со стороны крышки.

Масса диода не более 1,3 г.

Электрические параметры Пробивное напряжение при /o6p,ii=10 мА» /= 5 кГц, т„ = 3 мкс не менее

2А507А, КА507А ............. 500 В

2А507Б, КА507Б, КА507В......... 300 В

Критическая частота при Іщ, = 100 мА, С/обр =100 В,

Рпл = 1 мВт, I = 7 см не менее при 298 К:

2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б...... 200 ГГц

KA507B . І ! . . М I' • • • j ! • 1 • I 150 ГГц при 213 и 373 К:

2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б......180 ГГц

Накопленный заряд при /пр = .100 мА не более .... 200 нКл Прямое сопротивление потерь при /Пр = 100 мА, =

= 1 мВт, X = 7 см не более

2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б......1,5 Ом

КА507В І . j V . ..........2,5 Ом

Общая емкость при ЩШ = 100 В

2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б......От 0.8

до 1,2 пФ

КА507В . ...............От 0,65

до 1,2 пФ

Предельные эксплуатационные данные Рассеиваемая мощность при температуре корпуса

от 213 до 308 К I ............ 5 Вт

при 373 К ..........2 Вт

Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 373 К . j . . , І І..... 200 В

441