Страница - 436, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2А505А, 2А505Б, 2А505В

Диоды кремниевые сплавные со структурой п-і-р-і-п. Предназначены для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазона в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.

Масса диода не более 0,05 г.

Электрические параметры

Потери пропускания при /пр = 0, Рпд Щ 1 мВт, W =

= 250 Ом, / = 9000 -т- 9800 МГц, не более: при 298 К

2А505А, 2А505Б ..............0,25 дБ

2А505В Щ . . . . І . . . . ....... 0,4 дБ

при 213 и 398 К

2А505А, 2А505Б 1 . . ...........0,55 дБ

2А505В .................0,7 дБ

Потери запирания при ЦЦ =100 мА, Рвд > 1 мВт, W =

= 250 Ом, /= 9000 4- 9800 МГц,’ не менее:

2А505А . * . . . . . . I........25 дБ

2А505Б, 2А505В . ..................21 дБ

Время восстановления сопротивления при ■/'„, > 1 мВт,

/= 9000 — 9800 МГц, не более.........60 мкс

Время установления прямого сопротивления при Рш >

I 1 мВт, ЦІ ЮО мА, /= 9000 J 9800 МГц, не более...........I...... 6 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная падающая СВЧ мощность в линии с W =

= 250 Ом при Ц = 1 мкс и скважности 500:

/ПР = 0: ' .

в Н-образном волноводе и полосковых линиях ... 5 кВт

в резонансной щели...............2 кВт

jр = 100 мА jjj I 1 . ..........100 кВт

Рассеиваемая мощность .............. 2 Вт

437