Страница - 433, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)



The Best site to purchase custom youtube comments


Электрические параметры

Прямое напряжение при /пр = 100 мА и температуре от 213 до 398 К, не более    0,3 В Прямое сопротивление потерь при /ГІI =

= 100 мА, Рпд > 5 мВт, / = 3000 МГц, не более:

2А503Д . Ы 1 . Я . . Ш • Ш' 3,3 Ом 2А503Б . dag , .    I' 1 . I    5»° Ом

Емкость перехода при Рт > 5 мВт, / =

= 3000 МГц:

2А503А.......... . І От 0,365 до 0,435 пФ

2А503Б...............От 0,33 до 0,425 пФ

Прямое сопротивление потерь при /„р = 0,

Рпд ^ 5 мВт, /= 3000 МГц, не менее    1500 Ом

Время установления прямого сопротивления при /пр = 100 мА, Рпд > 1 мВт, /=

= 3000 МГц, не более .......    6 мкс

Время восстановления сопротивления при Лір Л§ 0, Лш ** 1 мВт, /= 3000 МГц, не более . . . *; . . ѵѵ. . . . Щ . I    60 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая мощность . I............1 Вт

Импульсная рассеиваемая мощность в линии с волновым сопротивлением 50 Ом ...    1 кВт

Температура окружающей среды .... От 213 до 398 К

Температура перехода . .........398 К

Примечание. При включении диода в линию с волновым сопротивлением W, отличным от 50 Ом, допустимая импульсная рассеиваемая мощность определяется по формуле

К, рас, макс( ^0 =    и> Рас' макс


Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого напряжения.

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.


434