Страница - 432, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Предельные эксплуатационные данные

Импульсная падающая СВЧ мощность при скважности, большей или равной 1000, ти < 2 мкс и температуре

от 213 до 343 К..............2,5 Вт

Импульсная падающая СВЧ мощность при воздействии не более 5 мин, скважности, большей или равной 1000, ти Ц 2 мкс и температурю от 213 до 343 К . . . . 5,0 Вт Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 343 К:

1А501А, 1А501Б, 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е, ГА501А,

ГА501Б, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е......100 мВт

1А501В, ГА501В ..............50 мВт

1А501Ж, 1А501И, ГА501Ж, ГА501И...... 1 мВт

Непрерывная падающая СВЧ мощность при /пр=10 4-

30 мА и температуре от 213 до 343 К..... 1 Вт

Мощность просачивающегося импульса при температуре

от 213 до 343 К . .... Н........ 450 мВт

Энергия просачивающегося импульса при температуре

от 213 до 343 К.......-.......0,5 • 10-7 Дж

Импульсная падающая СВЧ мощность в течение 50 ч при Т < 343 К, т„ < 0,15 мкс, скважности, большей

или равной 3000 Ц............ 50 Вт

Температура окружающей среды..........От 213 до

343 К

Примечания: 1. Допускается применение диодов в коммутационных устройствах при длинах волн более 3 см.

2. Не разрешается подача обратного напряжения более 18 В и прямого тока более 30 мА для 1А501 А,


1А501Б, 1А501Г, 1А501Д, 1А501Е и 20 мА для 1А501В, 1А501Ж,

1А501И.

Зависимость потерь запирания от температуры.

2А503А, 2А503Б

Диоды кремниевые сплавные с р-і-п структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.


Бескорпусные с жесткими выводами. Тип диода указывается на индивидуальной таре.

Масса диода не более 0,00214 г.

433