Страница - 424, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




1А402Б, 1А402Г, ГА402Б, ГА402Г, не

более tef . . ks . . . ...........0,16 пФ

1А402В, ГА402В ...............От 0,13 до 0,3 пФ

Емкость корпуса . ..........От 0,23 до 0,29 пФ

Индуктивность диода, не более..........2 нГн

Предельные эксплуатационные данные Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 343 К . . . .    50 мВт

Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К . д . . . . Л ......    100 мВт

Импульсная падающая СВЧ мощность при т„ й 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до

343 КІ . . . . I..............2,5 Вт

Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), Ц і 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213

до 343 К................5 Вт

Энергия СВЧ импульсов при температуре от

213 до 343 К . ........ 0,7 • 10-7 Дж

Мощность просачивающегося импульса при

температуре от 213 до 343 К . I I    200 мВт

Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К-

Примечания: 1. Допускается применение диодов для умножения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.

2. Не разрешается подача обратного напряжения более 14 В и прямого тока более 30 мА.

Зависимость емкости    Зависимость пробив-    Зависимость прямого

структуры от постоян-    ного напряжения от    сопротивления потерь ного обратного напря- температуры. от температуры, жения.

425