Страница - 422, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Постоянная времени при U0gp = 10 В, /= 2000 ± 200 МГц, не более:

1А401, ГА401 Щ ... ..........2,2 пс

1А401А, ГА401А.............. 2,0 пс

1А401Б, ГА401Б.............1,8 пс

1А401В, ГА401В.............1,7 пс

Пробивное напряжение при /0gp = 10-г 20 мкА, не менее:

при 298 К    ;............... . 20 В

при 213 К................ 15 В

Постоянный обратный ток при U0gp = 10 В, не более.

при 298 К................0,5 мкА

при 343 К................4,0 мкА

Емкость перехода при (/дбр = Ю В, /< 30 МГц:

1А401, ГА401 ..........От 0,45 до 0,87 пФ

1А401А, ГА401А . ........ От 0,36 до 0,55 пФ

1А401Б, ГА401Б .........От 0,26 до 0,44 пФ

1А401В, ГА401В.........От 0,12 до 0,33 пФ

Емкость корпуса ...........От 0,18 до 0,25 пФ

Индуктивность диода, не более ......    2 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 343 К ... ........... 200 мВт

Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К.............. 400 мВт

Импульсная падающая СВЧ мощность при ти < 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К . . - sr........... 5 Вт

Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), т„ < 4 мкс, скважности, большей или равной 1000, температуре от 213 до 343 К . . . . . . . . . ........ 10 Вт

Температура окружающей среды.........От 213 до

343 К

Примечания: 1. Допускается применение диодов для умножения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче

3 см.

2.    Не разрешается подача обратного напряжения более 19 В и прямого тока более 30 мА.

3.    Емкость перехода остается неизменной при температуре окру-I жающей среды от 213 до 343 К.

423