Страница - 42, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Постоянный обратный ток при U0qp=\5 В, не более:

при 213 и 298 К . ... I . ........100 мкА

при 343 К...................250 мкА

Вр емя восстановления обратного сопротивления при

•^пр. и = 20 мА, 1/обр, И В 10 В, не более . . . . і ,    0,1 мкс

Емкость диода, не более .    1 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение! !КщНг* . ■ . . ,-і . | |    15 В

Постоянный прямой ТОК I ’.щі I |1§ I І і ...    12 мА Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и скважности, равной 4. . . . . . . . . . . . . і і . ІЦ 50 мА

Температура окружающей среды..........От 213 до

343 К

Примечание. Диоды перед заливкой и герметизацией должны быть покрыты демпфирующей пастой KJIT-30.





Зависимость прямого тока от напряжения.

Зависимость обратного тока от напряжения.



Зависимость импульсного пря

мого напряжения от тока.

Зависимость общей емкости

диода от напряжения.

42