Страница - 398, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




АА112А, АА112Б

Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в герметизированной аппаратуре.

Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Диод ААІ12Б выпускается подобранным в пары: АА112БР.

Масса диода не более 0,035 г.

Электрические параметры

Потери преобразования при Рп| = 3 мВт, X = 3,2 см, не

более ......................6 дБ

Выпрямленный ток при Pw р= 3 мВт, X = 3,2 см.....От 1 до

2,5 мА

Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рал =

= 3 мВт, X = 3,2 см, не более:

АА112А .....................1.3

АА112Б ............... . 1,8

Коэффициент шума при Рш = 3 мВт, X — 3,2 см, не

более ..... .................7 дБ

Выходное сопротивление при Рт = 3 мВт, X = 3,2 см От 440 до

640 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при темпера

туре от 213 до 373 К..........

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при темпе

ратуре от 213 до 373 К . . . ......

Температура окружающей среды.........

АА113А, АА113Б

Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях сантиметрового и дециметрового диапазонов волн в герметизированной аппаратуре.


Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.

Масса диода не более 0,002 г.