Страница - 353, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр = 0,5 мА, не менее:

при 213 и -298 К . ЩI ' Ж . Іщ I ) I 350 Щ при 343 .К • . . уЯ j. Щѵрь j // 300 мВ Постоянное обратное напряжение при /0gp = | мЛ:

при 298 К .... . ; ... . . і . . От 75 до 101 при 213 и 343 К...... ... .' . От Щобр —15

ДО Uобр

Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характеристики при /=1 + 10 МГц:

1И404А ; •%' . .    mj- От 0,5 до 1,0 і

1И404Б ѴИВр . . Щ ДЩ •/. 'Г > Ж; От 0,8 до 1,5 і 1И404В ........... ... От 1,0 до 2,0 п

Сопротивление потерь, не более:

1И404А Щ. ........ . . . . ' 9 Ом

1И404Б .............. ' 8 Ом

1И404В ШК . Щ . ......... 7 Ом

Индуктивность диода* . . Л . ......От 0,2 до 0,35 нГн

Емкость корпуса* . . I V jy . . . . . . .От 0,45 до 0,55 пФ Температурный коэффициент обратного напряжения*, не более:

от 298 до 343 К . -ІДІ ■ Ш, .    ... +0,1 мВ/К

от 298 до 213 К Я |Ш . J ЯД | ЩЩ: +0,15 мВ/К Температурный коэффициент прямого напряжения *:

от 298 до 343 К не хуже . . . > . . . S • - —1,5 мВ/К от 298 до 213 К не более . . . .... +1,5 мВ/К Пиковый ток* . . . Щ І і . Н . I . . . .От 0,14 до 0,29 мА