Страница - 348, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




І;0,4 мА (ЗИ402И, АИ402И), не менее:

, при 298 К.................0,6 В

при 373 К (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д,

ЗИ402Е, ЗИ402И)..............0,4 В

при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И) ...    0,4 В при 213 К

ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д, ЗИ402Е,

ЗИ402И . ................0,6 В

АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И.....0,5 В

Постоянное обратное напряжение при /обр = 1 мА (ЗИ402А,

ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, АИ402Б, АИ402Г); 2 мА (ЗИ402Д, ЗИ402Е, АИ402Е); 4 мА (ЗИ402И, АИ402И), не более:

при 298 К........................0Д5 В

при 373 К (ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г, ЗИ402Д,

ЗИ402Е, ЗИ402И)....................0,29 В

при 358 К (АИ402Б, АИ402Г, АИ402Е, АИ402И) . .    0,29 В

при 213 К.......................0,35 В

Общая емкость диода:

ЗИ402А, не более .............    2 пФ

ЗИ402Б..................От 1,5

до 3,5 пФ

ЗЙ402В . ................От 2,7

до 5 пФ

ЗИ402Г, ЗИ402И, не более ..........6 пФ

ЗИ402Д, не более ..... . . § . I . . .3,5 пФ

ЗИ402Е . .... . . . . ........От 2

до 6 пФ

АИ402Б, не более . . ...........0,4 пФ

АИ402Г, АИ402Е, не более . . ... . . . . .    8,0 пФ

АИ402И, не более . . . . .........10 пФ

Сопротивление потерь * не более

ЗИ402А.................18 Ом

ЗИ402Б ................ .    16 Ом

ЗЙ402В .................14 Ом

Пиковый ток, не более:

. АИ402Б, АИ402Г .... . . . . ......ОД мА

АИ402Е .................0,2 мА

АИ402Е.................0,4 мА

Предельные эксплуатационные данные Постоянный обратный ток при температуре: от 213 до 373 К

ЗИ402А, ЗИ402Б, ЗИ402В, ЗИ402Г.......2 мА

ЗИ402Д, ЗИ402Е . .............4 мА

ЗИ402И.................8 мА

от 213 до 358 К

АИ402Б, АИ402Г ..............1 мА

АИ402Е .................2 мА

АИ402И.................4 мА


349