Страница - 338, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




при 373 К

ЗИЗОбГ, ЗИЗОбЕ........ От 1,5 до 2,4 мА

ЗИЗОбЖ, ЗИЗОбК, ЗИЗОбР..... От 3,9 до 5,9 мА

ЗИЗОбЛ, ЗИЗОбМ, ЗИЗОбН, ЗИЗОбС От 7,7 до 11,8 мА при 213 К

ЗИЗОбГ, ЗИЗОбЕ........ От 1,5 до 2,4 мА

ЗИЗОбЖ, ЗИЗОбК, ЗИЗОбР .... От 3,8 до 5,9 мА ЗИЗОбЛ, ЗИЗОбМ, ЗИЗОбН, ЗИЗОбС От 7,6 до 11,8 мА Отношение пикового тока к току впадины, не менее:

при 298 К І W і .................8

при 373 К . ІІІ^Ї . ...............6

Напряжение пика, не более:

при 298 К^|. . .............0,17 В

при 373 К .    ....................0,2 В

Напряжение раствора, не менее:

при 298 КЦ .... I..........0,85 В

при 373 К . . . . . ....... .... 0,72 В

при 213 KgS . . у............. 0,8 В

Общая емкость диода в точке минимума вольт-ампер-ной характеристики при /=1-^10 МГц:

ЭИЗОб’С не более ............ 8 пФ

ЗИЗОбЕ . ............ От 4 до 12 пФ

ЗИЗОбЖ, не более..............15 пФ

ЗИЗОбК ѵ . . . ....... От 8 до 25 пФ

ЗИЗОбЛ, не более...........12 пФ

ЗИЗОбМ, не более.....I .    30 пФ

ЗИЗОбН ........... От 15 до 50 пФ

ЗИЗОбР.*.......... . От 4 до 25 пФ

ЗИЗОбС. ...............От 10 до 50 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-ампер-ной характеристики при температуре: от 213 до 298 К ЗИЗОбГ, ЗИЗОбЖ, ЗИЗОбЛ, ЗИЗОбМ    0,4 /п

ЗИЗОбЕ, ЗИЗОбК, ЗИЗОбН, ЗИЗОбР,

ЗИЗОбС ..............ѵ    0,9 /п

при 373 К

ЗИЗОбГ, ЗИЗОбЖ, ЗИЗОбЛ, ЗИЗОбМ    0,15 Іа

ЗИЗОбЕ, ЗИЗОбК, ЗИЗОбН, ЗИЗОбР,

ЗИЗОбС и I . . , ......    0,5 /„

Импульсный ток на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при температуре: от 213 до 298 К ЗИЗОбГ, ЗИЗОбЖ, ЗИЗОбЛ, ЗИЗОбМ    0,4 /п

ЗИЗОбЕ, ЗИЗОбК, ЗИЗОбН, ЗИЗОбР;

ЗИЗОбС. ...................1,2 4

при 373 К

ЗИЗОбГ, ЗИЗОбЖ, ЗИЗОбЛ, ЗИЗОбМ..... 0,3 /„

ЗИЗОбЕ, ЗИЗОбК, ЗИЗОбН, ЗИЗОбР, ЗИЗОбС ... 0,8 /„





339