Страница - 321, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Пиковый ток.................От 1,3 до. 1,7 мА

Отношение пикового тока к току впадины при температуре от 213 до 348 К, не

менее . . . Я; «    4 Общая емкость диода при нулевом смещении и /= 1 Ц 10 МГц:

1И104А ...... ^ ....    От 0,8 до 1,9 пФ

1И104Б . . . . . . . • • . Щ .    От 0,6 до 1,4 пФ

1И104В......... Ш:щ •    От 0,5 до 1,1 пФ

1И104Г........................От 0,45 до 1 пФ

1И104Д. . . . . ........От 0,4 до 0,9 пФ

1И104Е .... эр!..............От 0,4 до 0,8 пФ

Сопротивление потерь, не более:

1И104А, 1Й104Б||Я| . ... .    6 0м

1И104В, 1И104Г, 1И104Д .... . '    7 Ом

1И104Е ......... . .    8 Ом

Напряжение пика . . Щяя............60—80* — 100 мВ

Напряжение впадины . . . : * . . . . .    350 — 400* — 450 мВ

Индуктивность диода . . IS . 4 " ... .    0,1—0,11 * — 0,13 нГн

Емкость корпуса ..... Шр . \ . ...    0,25 — 0,3* — 0,35 пФ Резонансная частота *:

1И104А . . . Ц . Ц .От 11 до 25 ГГц 1И104Б . .' . VД1# . ■■■%•*#{%■; От 15 до 27 ГГц

1И104В . . . . Ш-Я • • • . .    От 17 до 31 ГГц

1И104Г. . . . . |р’ . . . .    От 19 до 37 ГГц

1И104Д. . . . ШШ . . . V I .    От 21 до 45 ГГц

1И104Е . ... . . ’ . ...    От 25 до 60 ГГц Температурный коэффициент проводимости при температуре:

от 213 до 298 К . > . . . .    От 0 до -0,25 %/К

от 213 до 343 К . К.-.    - ■ ±0,14 %/К

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная рассеиваемая мощность, мВт, на частоте /= 1 кГц: при 343 К

ти = .0,1 мкс ти =1 мкс    ти = 4 мкс

1И104А    100    25    10

1И104Б    75    20    7,5

1И104В    50    15    5,0

1И104Г    25    Ю    4,0

1И104Д    20    6    3,5

1И104Е    15    4    3,0 о% 213 до 308 К

1И104А    200    50    20

1И104Б    150    40    15

1И104В    100    30    10

1И104Г    50    20    8

1И104Д    40    12    7

1И104Е    30    8    6

322