Страница - 317, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




1И102Ж . . . . . . . .f . Щ От 1,2 до 2,2 пФ 1И102И ...... . Щ. Ш От 1,8 до 2,7 пФ

1И102К Щ . . . . . ..... ’.Ж От 2,3 до 3,5 пФ

Сопротивление потерь при импульсном обратном токе для 1И102А, 1И102Б, 1И102В 20 мА, для 1И102Г, 1И102Д, 1И102Е-25 мА, для 1И102Ж, 1И102И, 1И102К — 30 мА, не более:

1И102А, 1И102Б, 1И102Г, 1И102Д,

1И102Ж . . . . . . . і . .    6 Ом

1И102В, 1И102ЕІІ. • • І • • •    4,5 Ом

1И102И . , . . . . .    - 4,0 Ом

1И102К    . . Ы . . . Щ'. Ж'- 3,0 Ом

Напряжение впадины* ....... ; . От 320 до 400 мВ

Отрицательное дифференциальное сопротивление* . . > > .... у . . . . От 75 до 110 Ом

Индуктивность корпуса* . . . * .... От 0,24 до 0,35 нГн

Емкость корпуса*, не более,!*, . . . . .    0,7 пФ

Шумовая постоянная* при /пр = 0,4 /„ . . .    1,6

Резонансная частота *, не менее:

1И102А, 1И102Г, 1И102Ж........у 10 ГГц

1И102Б, 1И102Д, 1И102И . Н . . > . . . . 8 ГГц 1И102В, 1И102Е, 1И102К ... . . . і . . 5 ГГц

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный прямой ток .......    2/п

Постоянный обратный ток . . . Яг. Ш •    2/п

Температура окружающей среды .... От 213 до 343 К

Пр имечания: 1. Рекомендуется применять источники питания, имеющие напряжение холостого хода не более 1 В.

2.    При вставлении диода в резонатор во избежание пробоя необходимо свободной рукой коснуться резонатора.

3.    Не рекомендуется располагать диоды вблизи нагревающихся узлов.

4.    Прижимное усилие на диоды не более 15 Н.



Зависимость пикового Зависимость отноше-    Зависимость напряже-

тока от температуры, ния пикового тока к    ния пика от темпера-Току впадины от тем- туры, пературы.

318