Страница - 314, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




при 373 К.......... От 4,0 до 5,5 мА

при 213 К і . . . ...... От 4,0 до 6.2 мА

АИ101Е, АИ101И

при 298 К . ......... От 4,5 до 5,5 мА

при 358 К І......... От 4,0 до 5,5 мА

при 213 К.....1| . . I § От 4,0 до 6,2 мА

Отношение пикового тока к току впадины, не менее:

ЗИ101А, ЗИ101Б, АИ101А, АИ101Б

при 298 К .... ........... 5

ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И,

АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, АИ101И при 298 К 6 ЗИ101А, ЗИ101Б

■ при 373 КН . І І щ » . ....... 3

при 213 К . " I . . I Й........I 4

ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д, ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И при 373 К . . . . .... . ...... 4

при 213 К F. - . . . і..........

Напряжение пика не более

ЗИ101А, ЗИ101Б, ЗИ101В, ЗИ101Г, ЗИ101Д . . . 0,16 В

ЗИ101Е, ЗИ101Ж, ЗИ101И..........0,18 В

АИ101А, АИ101Б, АИ101В, АИ101Д......0,16 В

АИ101Е, АИ101И І . . ..........0,18 В

Сопротивление потерь при Ц < 15 мкс, скважности не менее 100, не более:

ЗИ101А при /обр.и= 30 мА........ . 24 Ом

АИ101А при /обр,н = 30 мА......... 18 Ом

ЗИ101Б при /ОбРіи = 30 мА.........22 Ом

АИ101Б при /0бр>н = 30 мА............16 Ом

ЗИ101В при /обр,и = 50 мА -.........18 Ом

АИ101В при /обр,и S 40 мА.........16 Ом

ЗИ101Г при /Обр,и = 50 мА.........16 Ом

АИ101Д при /0бр,и = 40 мА.........14 Ом

ЗИ101Д при /0бр,и = 50 мА......... 16 Ом

АИ101Е при /обр,п = 80 мА......... 8 Ом

ЗИ101Е при /обр,и= 100 мА.........10 Ом

АИ101И при /обр,„ = 80 мА......... 7 Ом

ЗИ101Ж при /0бр,и = ІЩ Nt^......... Р Ом

ЗИ101И при /обр.и =100 мА......... 7 Ом

Общая емкость диода в точке минимума вольт-ам-перной характеристики при /= 1 [§ 10 МГц:

ЗИ101А, ЗИ101Е, не более......... 3 пФ

АИ101А,. не более . . .......... 4 пФ

ЗИ101Б ..................От 2 до 6 пФ

АИ101Б . ѵ,' І Ц . . ;........ » .От 2 до 8 пФ

ЗИ101В, не более . ............. 2 пФ

АИ101В, не более....................5 пФ

ЗИ101Г . . , , . . ....... . . . . . От 1 до

%    3,7 пФ

ЗИ101Д . . . . . . . . ......... . От 2,5 до

6 пФ

315