Страница - 309, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Емкость при U0бр = 25 В, /= 1 і 10 МГц . . . . , От 4,3 до

6,0 пФ

Коэффициент перекрытия по емкости при Uo5р от 1,5 до 25 В, не менее , , ■№ | ^ ] иЩИ. . . 11' . 7,6 Добротность при /=50 МГц, не менее

КВ121Ац. . %£- . \ ......    - 200

КВ121Б Ч ІРуГ.’/ . К . ...... Ш ••    150

Постоянный обратный ток прп £/обр = 28 В, не более 0,5 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение ........ 30 В

Температура окружающей среды iff ......, >/ . От 213 до

373 К

Зависимость емкости от напря- Зависимость добротности от на-жения.    пряжения, і

Зависимость температурного коэф- Зависимость обратного тока от

фициента емкости от температуры.    напряжения.

310