Страница - 299, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Коэффициент перекрытия по емкости, не менее:

2В113А, КВ113А при С/0бр от 4 до 150 В . . | .    4,4

2В113Б, КВ113Б при Uo6p от 4 до 115 В . , . .    3,9 Температурный -коэффициент емкости при Uo6p = 4 В 500-10-6 1 /К

Добротность при С/0бр= J В /=10 МГц, не менее    300 ПОСТОЯННЫЙ обратный ТОК при = U0 бР)Макс ПРИ температуре:

от 213 до 298 К . | . . . ! Ж ! . . , 1 |    10 мкА

при 398 К I j , і ЖА Ц . j . . . ! . . I j    300 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение:

2В113Д, КВ113А IV . ....... > . . 150 В

2В113Б, КВ113Б I . . . 1 , ...... 1 115 В

Постоянная рассеиваемая мощность:

от 213 до 323 К.....і Щ . . Щ . . . 100 мВт

при 398 К..    . ШЩї    • • •- 25 мВт

Температура окружающей среды.........От 213 до

398 К

Зависимость емкости от напряжения.


Зависимость добротности от напряжения.


Зависимость температурного

коэффициента емкости от тем

пературы.

Зависимость допустимой рас

сеиваемой мощности от темпе-

І ратуры.

300