Страница - 297, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость добротности от на- Зависимость температурного коэф-пряжения.    фициента емкости от температуры.

2В112А-1, 2В112Б-1, КВ112А-1, КВ112Б-1


Варикапы кремниевые эпитаксиально - планарные. Предназначены для применения в гибридных интегральных микросхемах.

Выпускаются без корпуса с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на упаковке. Положительный вывод имеет меньший диаметр.

Масса варикапа не более 0,006 г.

Электрические параметры

Емкость варикапа при U0бр = 4 В,/= 1 МГц:

2В112А-1, КВ112А-1 . ЯК-.’ . . И ѴЩ^От 9,6 до

14,4 пФ

2В112Б-1, КВ112Б-1 , .V . Щ , . І V . , . Д ІОт 12,0 до

18,0 пФ

Температурный коэффициент емкости при U0Ц = 4 ч- 25 В,

не более . |||> . . Я.' .... Ж . . . Я 5-Ю-4 1/К Коэффициент перекрытия по емкости при Uo61 = 4 ч- 25 В,

не менее . . .    .' . . . • . . . . . . . 1>8

Добротность при С/обр = 4 В, /= 50 МГц, не менее . . . 200 Постоянный обратный ток при і/обр = 25 В, не более:

от 213 до 293 К . . Щ . . . . . Ш . . . 1 мкА при 398 К . . . . . .. . . . Я . Я • §§ 50 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение .... 25 В

Температура окружающей среды.........От 213 до

398 К

298