Страница - 293, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Емкость при /= 1 н- 10 МГц: при ^обр = 3 В КВ 109В. ...... у . . . |§§ От 8 до 16 пФ

КВ109Г. . '."‘Г \ \ . . . 'МЩ- От 8 до 17 пФ при Щ = 25 В

КВ 109А Ш ..    ЖШ От 2,3 до 2,8 пФ

КВ109Б ѵ . . . .    От 2,0 до 2,3 пФ

КВ109В , . Р . . », . Ь . ^ От 1,9 до 3,1 пФ Коэффициент перекрытия по емкости:

КВ 109А . . Щ . ....... От 4 до 5,5

КВ109Б . . . . . . Щ . ^ Ш От 4,5 до 6,5 КВ109В . . . . . .    От 4 до 6

КВ109Г, не менее в ...........4

Температурный коэффициент емкости . . . (500 ± 300) • 10 1/К Добротность при t/o6p = 3 В и частоте /=50 МГц, не менее:

КВ 109А, КВ109Б *4 :. . . . . >ЧУ-',.    300

КВ109В, КВ109Г    .    160

/= 470 МГц для КВ109А, КВ109Б ...    30

Постоянный обратный ток при U0qp = 25 В, не более . . . .    ......    0,5 мкА

Индуктивность выводов диода на расстоянии от корпуса до 1,5 мм, не более    4 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение . | . ]    25 В

Рассеиваемая мощность при температуре до 323 К . . . Щ. Щ1. |Б^|К^ “ • 5 мВт Температура окружающей среды . . Щ . . От 233 до 358 К Примечание. В интервале температур от 323 до 358 К рассеиваемая мощность снижается линейно на 0,05 мВт/К.

Зависимость обратного тока от на

пряжения.

Зависимостѣ емкости от на

пряжения.

294