Страница - 29, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Кв качество диода на высоком уровне К„и~ коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода Kq— коэффициент перекрытия по емкости варикапа К— относительный разброс яркости или силы света оптоэлектронного прибора Кі~ коэффициент передачи тока L3 — потери запирания Lnp— потери пропускания

Lnp6— потери преобразования смесительного диода Ьпрб т~ потери преобразования при температуре Т М — коэффициент качества детекторного диода Мj— коэффициент качества детекторного диода при температуре Т пш шумовое отношение СВЧ диода Р — мощность излучения р — атмосферное давление QB — добротность варикапа Q— добротность Sm,cT~ спектральная плотность шума стабилитрона

S— спектральная плотность напряжения генератора шума Т— температура окружающей среды Тмакс— максимальная температура окружающей среды ТмиН— минимальная температура окружающей среды Тк— температура корпуса Тп— температура перехода Т осд — температура кристалл од ержателя W— волновое сопротивление

а— угол излучения излучающего оптоэлектронного прибора

а,-,.— средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона “ст іо— средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона при токе 10 мА ас — температурный коэффициент емкости варикапа Р/— чувствительность по току детекторного диода Р/т— чувствительность по току детекторного диода при температуре Т Х^— длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения ЩЦ ширина спектральной характеристики излучения (на уровне 0,5 максимального значения)

Звездочкой* отмечены параметры или их значения, приведенные в ТУ в разделах справочных данных. При производстве приборов они могут не контролироваться.

В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных данных не указан интервал температур, эти данные гарантированы во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).

29