Страница - 281, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




1,4

1,1




1,0 0,8 0,6 0,4

о, г

0,5 1,0 I 5 10 Z0 МГи,

Зависимость добротности от частоты.

Зависимость допустимой рассеи

ваемой мощности от темпера

туры.

282