Страница - 28, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Rnep— отрицательное сопротивление перехода jRH— сопротивление нагрузки К0бр~ обратное сопротивление диода т,кр - кор- тепловое сопротивление кристалл — корпус RT— общее тепловое сопротивление

Лш— сопротивление шунта между управляющим электродом и катодом тиристора RCC)pp— сопротивление между сегментами или разрядами прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления сегмент — сегмент, разряд — разряд)

Кстат- статическое сопротивление стабилитрона

R„— сопротивление изоляции (сопротивление гальванической развязки)

Ябб- межбазовое сопротивление 0пер- отрицательная проводимость перехода гп сопротивление потерь диода гпос сопротивление нагрузки, включенное последовательно с диодом СВЧ гПр прямое сопротивление диода по постоянному току гобр,д обратное сопротивление диода по постоянному току ѵoj — дифференциальное сопротивление стабилитрона гвых выходное сопротивление СВЧ диода гш— шумовое сопротивление СВЧ диода Гдиф— дифференциальное сопротивление диода Сд— общая емкость диода Собщ.т общая емкость тиристора Скорп емкость корпуса диода

С— полная емкость стабилитрона Спер— емкость перехода диода Сстр — емкость структуры Св— общая емкость варикапа Сн— номинальная емкость варикапа La индуктивность диода

LB— последовательная индуктивность варикапа L- последовательная индуктивность стабилитрона В— яркость излучающего оптоэлектронного прибора /0— резонансная частота туннельного диода /г„— граничная частота генератора шума /— рабочая частота диода /у— частота следования импульсов по управляющему электроду тиристора /*— сила света излучающего оптоэлектронного полупроводникового прибора /ѵ— интенсивность излучения оптоэлектронного прибора Iq— сила излучения оптоэлектронного прибора FHopм нормированный коэффициент шума СВЧ диода Кш шумовая постоянная туннельного диода /Спер,/ коэффициент перегрузки диода по прямому току Ка качество диода Кню качество диода на низком уровне

28