Страница - 276, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Время восстановления обратного сопротивления При /пр, и— 100 мА, ^обр, и ]№ -^отсч І0 мА,

не более 1 . . ............ 100 не

Общая емкость каждого диода при U0gp = 10 В,

/=1-г 10 МГц, не более , ..............6 пФ

Постоянный обратный ток диода при ШШЯ 60 В, не более» Issl-Vi . . 'Ш • . . . . Я 100 мкА Установившееся прямое напряжение диода при

V и І 400 мА, ти> 0,5 мкс, не более..........2,5 В

Импульсное прямое напряжение диода при

/пр и = 400 мА, ти>0,5 мкс, не более..........9,4 В

Время установления прямого напряжения диода, не более ... . . Ч'- I . . ...... 40 не

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное (или импульсное) обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К . . . .    40 В Постоянный прямой ток матрицы или одного любого диода при температуре:

от 213 до 308 К............ 100 мА

при 358 К    ......... 75 мА

Импульсный прямой ток матрицы или одного любого диода при ти Н 10 мкс, скважности более 10, при температуре: от 213 до 308 К . . . Н ....... 700 мА

при 358 К Ц I .> . ......... 500 мА

Перегрузочный постоянный прямой ток диода

в течение 30 мин (одноразовый)...... 125 мА

Средняя рассеиваемая мощность при температуре

от 213 до 358 К . J j . . І ...... 180 мВт

Температура окружающей среды.......От 213 до 358 К


yjn

Зависимость времени восстанов- Зависимость постоянного пря-

ления обратного сопротивления    мого тока от температуры,

от постоянного прямого тока.