Страница - 273, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




2Д918Б-1, 2Д918Г-1, КД918Б-1, КД918Г-1

Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиальнопланарных диодов. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на крышке тары-спутника.

Масса матрицы не более 5 мг.


01(1) 0 2(3) о 3(7) nb(8)    О 1(1) 2(3) О

л л л л В скобках— номера Чг    -jr

\    \    \    ] штырьков тары тг    лг

15(5) 6 (9)1    13(9)

КД918Г-1,    ХДЭІвб-1,

2Д918Г-1    Zftfi 18 Г-1

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр= 50 мА, не более:

при 298 и 358 К . '&■■■*%.'■ > JjjflH ч . ’ . .    1 В

при 213 К

2Д918Б-1, 2Д918Г-1ШІ . Щ . .    • • J>3 в

КД918Б-1, КД918Г-1 . v. *    В

Постоянный обратный ток при U0qp = 40 В, не более: при 298 и 213 К 2Д918Б-1, 2Д918Г-1 . ЯЩ Щ . • •    5 мкА

КД918Б-1, КД918Г-1 j . . . 1 И j j . 6 мкА при 358 К

2Д918Б-1, 2Д918Г-1 11 . . . Я . | . 50 мкА КД%18Б-1, КД918Г-1 . . В j . Ц І . ЩЖ 100 мкА Заряд переключения при /пр „=50 мА, С/0бр, и= Щ В,

не более .... . . . JM . ! . Ш    ■ 850 пКл

Общая емкость диода при U0бр = 0, /= 1 -н 10 МГц,

• не более РШ|| . . .    . дШрі .'Щ| .. - 6 пФ

Время восстановления обратного сопротивления при /ПріИ 10 мА, С/обр,и В, ^отсч 2 мА, не более . I Н . НИ .' і ИюШНВ . :Шг' 4 не

274