Страница - 268, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Импульсный прямой ток диода при т„ < 10 мкс без превышения /Пр,макс ПРИ температуре:

от 213 до 308 К 5> . . j ......... 200 мА

при 358 К    ......І Ж; Ё .... 120 мА

Температура окружающей среды.........От 213

до 358 К

Примечания: Ц При монтаже допускается однократный нагрев матрицы до 373 К в течение не более 6 с с подачей ультразвуковых колебаний и нормальным давлением на кристалл до 200 г.

2. Выводы матриц медные, покрытые припоем ПСрОСЗ-58.

Зависимость общей емкости диода от напряжения.


Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока.


мА Z00

160

160

140

110

100


113 253 293 333 373 413 Л


Зависимость импульсного пря

мого тока от температуры.

Зависимость заряда переключе

ния от импульсного прямого

тока.

269