Страница - 258, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




КД909А

Диодная матрица, состоящая из кремниевых эпитаксиальнопланарных диодов.

Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Матрица состоит из восьми диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами 1 — 8, выводы катода — 9— 10.

Масса матрицы не более 0^58 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр — 200 мА, не более :

при 298 К і . . .... . . . ...... 1,2 В

при 213 К К? - Ш І з Щ;[ I ........ 1*5 В

Постоянный обратный ток при Uoqp = 40 В, не более:

при .213 и 298 К I ... ! ........ 10 мкА

при 358 К . . . . . ...........ЮО мкА

Время восстановления обратного сопротивления при 2пр, 1В 500 мА, С/обр... = 10 В, /0тсч * мА, не - более НМ» . і ... 1 . I ... І . і 70 не Общая емкость при f/обр= 0 В. /= 1 Ц 10 МГц, не более , • • Щщ ......- ....... 5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение........ 40 В

Суммарный постоянный прямой ток (или среднее значение) через все диоды или через один любой диод    . . .. , . . . . . > • ..... 200 мА

Импульсный прямой ТОК при Т„ < I мкс без превышения предельного среднего тока при температуре:

от 213 до 298 К............. 1500 мА

при 358 К................ 1200 мА

Температура окружающей среды . ........ От 213

до 358 К




9*    259