Страница - 257, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




КД908А . . . Щ ....... . :ї‘ , .    От 213

до 358 К

Температура перехода для 2Д908А........ 423 К


Зона возможных положений зависимости общей емкости диода от обратного напряжения.


Зона возможных положений зависимости заряда переключения от постоянного прямого тока.

Зона возможных положений зависимости прямого установившегося напряжения от импульсного прямого тока.



258

Зависимость импульсного пря

мого тока от температуры.

Зависимость среднего прямого

тока от температуры.