Страница - 255, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зона возможных положений зависимости заряда переключения от прямого тока.

Зона возможных положений зависимости общей емкости диода от напряжения.

Z13 253 293 333 373 413 К


Зависимость среднего прямого тока от температуры.

О,*

213 253 293 333 373 413 К

Зависимость импульсного прямого тока от температуры.


2Д908А, КД908А

Диодные матрицы, состоящие из кремниевых эпитаксиальнопланарных диодов. Предназначены для работы в импульсных переключающих схемах с малым временем восстановления обратного сопротивления.

і Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Матрица состоит из восьми диодов с общим катодом. Аноды диодов соединены с выводами 1—8, выводы катода — 9—12.

Масса матрицы не более 0,63 г.

256