Страница - 254, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Постоянный обратный ток при = 40 В и температуре:

от 213 до 298 К........ 1 | 0,05* — 0,25* — 1 мкА

і при 358 К, не более .......    50 мкА

Заряд переключения при /„р и = 50 мА,

В ........... . 100*-250*-500 оКл

Общая емкость при [/^ = 0, / = 1 -f--=-10 МГц.........І . . . 1 * — 2,5* — 5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 5    . 40 В

Импульсное обратное напряжение при ти < 2 мкс, скважности, большей или равной 10, и температуре от 213 до 358 К . . . . . .... ... ... 60В Суммарный средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод при температуре:

от 213 до 333 К .............50 мА

при 358 К ........................30 мА

Суммарный импульсный прямой ток при Та < 2 мкс,

Лір,ср,макс через все диоды или любой одиночный диод при температуре:

от 213 до 333 К . ............ 0,7 А

при 358 К .    . . . v.......... 0,5 А

Температура окружающей среды .........От 213

до 358 К

Температура перехода............. 378 К

Примечания: 1. Допускается изгиб выводов на расстоянии не ближе 1 мм от защитного покрытия с радиусом закругления не менее 0,3 мм. Длина выводов от места выхода из защитного покрытия до места закрепления должна быть не более 6 мм.

2. Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.


Зона возможных положений зависимости установившегося прямого напряжения от импульсного прямого тока.


255