Страница - 249, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр = 0.01 мА, не менее:

при 298 К ....... . , і . . В    Ь,45 В

при 358 К . ., . , , ... . і . . . . . . , 0,31 В1

Постоянное прямое напряжение при АПІ>= I мА, не более-

при 298 К ...... ........... 0.8 В

при 213 К . ......... . . . . . Г,05 В

Постоянный обратный тоіс при (/„<зр= 10 В, не более:

при 298 К . . . . ... . . . у. . ... . 0,2 мкА ■ при 358 К I . . , , . .......... 1,0 мкА

Разность прямых напряжений двух диодов га числа первых грех диодов при /пр от 0,05 мА до 0,5 мА для 2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1, КД904Ы, не более 10 мВ

Вр емя восстановления обратного сопротивления при /’tTp= 5 мА, С^обр, и.— 5 В, не более ........ ГО ггс

Общая емкость каждого диода при ^Обр:=0.І В.

/= I -г 10 МГц, не более...................2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение любой формы и периодичности при

температуре от 213 до 358 К . . 1....... 10 В

Импульсное обратное напряжение при т,< < 2 мкс, скважности не менее Ю и температуре от 213 до 358 К і | . 12 В Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех диодов

матрицы) при температуре от 213 до 358 К . . . . 5 мА Импульсный прямой ток при т„ < Ю мкс и Аір, ср^5 мА 100 мА

Температура окружающей среды............ От 213 до

358 К

Примечания: I. Расстояние от места пайки (сварки) до защитного покрытия должно быть ис менее 2 мм и не более 7 мм. Нагрев кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) не выше 358 К.

2.    Допускается изгиб вывода на расстоянии не менее 0,3 мм от защитного покрытия.

3.    Не допускается соігрикосиовение выводов с кристаллом и перегиб выводов на инструмсггте с острьсми краями.

4.    При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним.

5.    Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.

250