Страница - 245, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при ІО мкА, не менее:

-ВидуйЛьнуЮ тару. Знак полярности располагается у общего вывода'-(катода) в окне тары.

Масса матрицы ме более ТО. мг.



при 298 К | ,.*> .    . . . . .. . . .. . . 0.4 В

при 358 К ! Ц I ! |1| . ! I I . І    0,23 В

Постоянное прямое напряжение при /п» = j мА, не более:

при 298 К......IIВ ........ 0,7 В

при 213 К.......,11 . I | у Ц. . . . 0,9 В

Постоянный обратный ток при і/0бр= Ю В, не более:

при 298 К ,!■. . . . . . . . У . . ,. . 0,2 мкА при 358 К . j j j . ....... . . І І і 1,0 мкА

Время восстановления обратного сопротивления при переключении с 5 мА постоянного прямого тока на 10 В обратного напряжения при уровне отсчета обратного

тока 2 мА, не более......... .. Яш 20 не

Общая емкость тірн постоянном напряжении смещения 0,1 В, /= 1 Ц 10 МГц, не более І ■ . І ...... 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение любой формы и периодичности при

температуре от 213 до 358 К I.............10 В

Постоянный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы) при температуре от 213 до 358 К ! ] ! . 5 мА Импульсный прямой ток при т„ < 10 мкс и /пріСр < I мА

при температуре от 213 до 35.8 К 9 , 1 ! ... . . 100 мА Температура окружающей среды , .........От 213

до 358 К

Примечания: J. Расстояние от места пайки (сварки) до защитимого покрытия должно быть не меное 2 и не более 7 мм. Нагрев кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) не выше 358 К. Расстояние места изгиба от защитного покрытия не менее 0,3 мы.

246