Страница - 239, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Импульсный прямой tOK одного диода при т„ < 10 мкс без превышения среднего прямого тока V І . . ; . 50 мА Рассеиваемая мощность всей сборкой при температуре:

от 233 до 343 К j ... I j . . . . . . 50 мШ при358 К. . I . . . .Ш.    .ШМ|. 25 мВт

Температура,окружающей среды. | J і ‘ . . . . . . От 233 до

358 К


Зависимость общей емкости диода от напряжения.

Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.


Зависимость максимально допустимого среднего прямого тока одного диода и мощности рассеивания сборки от температур ы.Ш


2ДС627А, КДС627А

Диодные матрицы, состоящие из восьми изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов. Предназначены для использования в коммутаторах тока и других импульсных схемах.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Аноды диодов соединены с выводами 1 — 8, катоды соответствующих диодов — с 16 — 9.

Масса матрицы не более 0,6 г.


240: