Страница - 221, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




Зависимость общей емкости Зависимость максимально допусти-от напряжения.    мого импульсного обратного на

пряжения от температуры,

Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока.

Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры.


3A530A, ЗА530Б


Диоды арсеиид-галлиевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импульсных сигналов пико- и наносекуидного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод имеет диаметр 3,7 мм.

Масса диода не более 0,2 г.

і    Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр= 10 мА, не более: при 298 и 358 К

3A530A ................ 1,0 В ЗА5ЭОБ .4 ...... . і I . f , . І . 1,2 В

222