Страница - 220, Полупроводниковые приборы диоди, тиристори, оптоволоконные прибори (Справочник 1982)




ЗА529А, ЗА529Б

Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод имеет диаметр 3,7 мм.


Масса диода не более 0,1 г.

Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр = 2 мА, не более: при 298 и 358 К

ЗА529А / . . . ............ 0,9 В

ЗА529Б ; . .... ......... 1,0 В

при 213 К

ЗА529А , . ..... J ....... . 1,2 В

ЗА529Б §; . . Щ . . И........ 1,3 В

Постоянный обратный ток при С/обр = 5 В, не более:

при 213 и 298 К і I..........1,0 мкА

при 358 К ...... .........50 мкА

Общая емкость диода при £/обр = 0 В, не более:

ЗА529А щ£г. .    ..........0,4 пФ

ЗА529Б................0,25 пФ

Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мА, не

болееЖ-у; •,' . .............70* Ом

Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более . . . . . ..........100* пс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от

213 до 358 К ........ ....... 5 В

Импульсное обратное напряжение при < 10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре:

от 213 до 308 К . . . . . 5...........7 В

при 358' К . . . Л............ 3,5 В

Средний прямой ток при температуре:

от 213 до 308 К j ............ 2 мА

„при 358 К . . Vgjllj I . : ......... 1 мА

Импульсный прямой ток при ти < 10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре:

от 213 до 308 К............ 5 мА

при 358 К . І , ....................2,5 мА

Импульсная рассеиваемая мощность при ти і 1 мкс,

скважности 1000 и температуре от 213 до 358 К . . . 0,5 мВт Температура окружающей среды от 213 до 358 К

Примечание.- Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.

221